TRANSISTOR MOSFET-N, IXYS IXTP160N10T, 100V/160A/430W, TO-220

8,50 Impuestos incluidos

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Código: 028IXTP160N10 Categoría:

Descripción

Fabricante    IXYS
Tipo de transistor    N-MOSFET
Tecnología    Trench™
Polarización    unipolar
Tensión drenaje-fuente    100V
Corriente del drenaje    160A
Poder disipado    430W
Carcasa    TO220AB
Tensión puerta-fuente    ±20V
Resistencia en estado de transferencia    7mO
Montaje    THT
Carga de puerta    132nC
Tiempo de disponibilidad    60ns
Peso bruto: 2,033gr
Denominación de fabricante: IXTP160N10T

TrenchMV™ Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated
Features.:
– Ultra-low On Resistance
– Avalanche Rated
– Low package inductance: easy to drive and to protect
– 175 °C Operating Temperature
–  Fast Intrinsic Diode
Advantages.:
– Easy to mount
– Space savings
– High power density
Applications.:
– Automotive: Motor Drives, 42V Power Bus, ABS Systems
– DC/DC Converters and Off-line UPS
– Primary Switch for 24V and 48V Systems
– Distributed Power Architechtures and VRMs
– Electronic Valve Train Systems
– High Voltage Synchronous Recifier
– High Current Switching Applications


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