Descripción
Fabricante Infineon (IRF)
Tipo de transistor N-MOSFET
Tecnología HEXFET®
Polarización unipolar
Tensión drenaje-fuente 55V
Corriente del drenaje 60A
Potencia 110W
Carcasa DPAK
Tensión puerta-fuente ±16V
Resistencia en estado de transferencia 13.5mO
Montaje SMD
Carga de puerta 23nC
Propiedades de elementos semiconductores logic level
